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> 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法
一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法
浏览量:339
专利号:
CN200710132843.7
专利权人性质:
申请/专利权人:
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
专利类型:
发明申请
技术领域:
有色金属
申请日:
2007-10-08
法律状态:
授权
技术成熟度:
专利详情:
CN101131371A
技术应用前景:
专利摘要:
本发明公开了一种精炼冶金硅的杂质含量检测方法,包括如下步骤:(1)在所需检测的晶棒或晶锭上沿结晶方向选取测量点,测定电阻率,获得电阻率随结晶分数分布的实测值;(2)给出每个测量点的硼和磷含量的预估值,算出预估净余载流子浓度,以及该点的实测净余载流子浓度;(3)比较各个测量点的净余载流子浓度实测值和预估值,调整硅材料中的杂质含量预估值,获得新的每个测量点预估净余载流子浓度,通过回归分析法确定硼和磷的杂质含量分布情况;(4)根据各个测量点的杂质分布情况,得出待测材料中的硼和磷的平均杂质含量。本发明能够准确地测出精炼冶金硅中硼和磷的杂质含量,且操作简便,成本低廉,适于工业化应用。
交易联系方式
联系人:
韩雨青
联系电话:
18501121224
联系邮箱:
mail@youseip.com
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